SOI衬底与固态图像拾取器件及制造方法及图像拾取设备

摘要

本发明涉及SOI衬底与固态图像拾取器件及制造方法及图像拾取设备。一种SOI衬底包括硅衬底、设置在该硅衬底上的硅氧化物层、设置在该硅氧化物层上的硅层、设置在该硅衬底中的收集层以及由设置在该硅氧化物层中的杂质掺杂区域形成的损伤层。

主权项

一种用于制造SOI衬底的方法，包括以下步骤：制备SOI衬底，该SOI衬底包括硅衬底、设置在所述硅衬底上的硅氧化物层、设置在所述硅氧化物层上的硅层以及设置在所述硅衬底中的收集层；在所述SOI衬底的硅层的表面上形成氧化物膜；从所述SOI衬底的靠近所述硅层的表面注入杂质以形成杂质掺杂区域的损伤层，该杂质掺杂区域位于所述硅氧化物层中，或者该杂质掺杂区域的靠近所述硅层的一端设置在硅氧化物层内，另一端延伸到硅衬底；以及去除所述氧化物膜。