发明名称 |
一种TFT、阵列基板以及显示器件 |
摘要 |
本实用新型提供一种TFT,其包括栅极层、栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层,所述有源层采用金属氧化物材料制备,所述源漏极层中包括有沟道,所述刻蚀阻挡层处于所述沟道下方,且所述刻蚀阻挡层的长度大于沟道的长度;所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层与所述有源层接触,并采用富氧的绝缘材料制成,所述第一栅极绝缘层采用易刻蚀的绝缘材料制成,所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层采用单层或者多个子层的叠层结构。本实用新型中的TFT具有较高的稳定性,同时提高了制备过程中的产品良率,使得采用TFT制备的阵列基板性能提高,同时提高了采用该阵列基板的显示器件的显示质量。 |
申请公布号 |
CN202423298U |
申请公布日期 |
2012.09.05 |
申请号 |
CN201120575315.0 |
申请日期 |
2011.12.31 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
曹占锋;童晓阳;姚琪;刘圣烈 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
罗建民;邓伯英 |
主权项 |
一种TFT,包括栅极层、栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏极层,其特征在于,所述有源层采用金属氧化物材料制备,所述源漏极层中包括有沟道,所述刻蚀阻挡层处于所述沟道下方,且所述刻蚀阻挡层的长度大于沟道的长度;所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层与所述有源层接触,并采用富氧的绝缘材料制成,所述第一栅极绝缘层采用易刻蚀的绝缘材料制成,所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层采用单层或者多个子层的叠层结构。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |