| 发明名称 | 一种半导体制程中的干法清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体制程中的干法清洗方法，包括如下步骤，a)传统干法清洗步骤；b)吹扫步骤，在等离子体熄灭的瞬间通入氮气或惰性气体。本发明中所用的惰性气体为氩气或氦气；吹扫步骤中腔室的压力为60～150mT，优选为60～130mT；通入的气体流量为120～250sccm，通入时间为3～10s。本发明的方法能够有效的减少传统干法清洗中残留的颗粒，为后面的工艺步骤提供一个洁净的环境，从而保证产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN101450346B | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN200710178788.5 | 申请日期 | 2007.12.05 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 周洋 |
| 分类号 | B08B7/04(2006.01)I;B08B5/02(2006.01)I;B08B7/00(2006.01)I | 主分类号 | B08B7/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 李伟 |
| 主权项 | 一种半导体制程中的干法清洗方法，其包括如下步骤：a）传统干法清洗步骤，开启上电极功率，通入工艺气体进行等离子体启辉；和b）吹扫步骤，在等离子体熄灭的瞬间通入氮气或惰性气体。 | ||
| 地址 | 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼 | ||