发明名称 |
一种高产率的真空激光处理装置及处理方法 |
摘要 |
本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种高产率的真空激光处理装置及处理方法。所述装置由多个真空激光处理腔构成。并在多个真空的激光处理腔外,配置了环形轨道和取送片机械手,机械手在环形轨道上运行;激光光束位于多个真空激光处理腔之间,通过机械部件带动,可处于欲处理真空激光处理腔的上方,并且进行扫描移动,使激光光束在各真空激光处理腔顶面通过激光透明窗口轮转对真空激光处理腔内的晶圆片进行激光辐照处理,极大地提高了激光光束的利用效率;并且环形轨道上的机械手与其配合,不停地将晶圆片送入、取出,在各真空激光处理腔之间轮转工作,使整个装置处在充分并行的工作状态下,从而提高真空激光处理装置加工效率。 |
申请公布号 |
CN102169815B |
申请公布日期 |
2012.09.05 |
申请号 |
CN201110056224.0 |
申请日期 |
2011.03.09 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
严利人;周卫;刘朋;窦维治;刘志弘 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 |
代理人 |
史双元 |
主权项 |
一种高产率的真空激光处理装置,其特征在于,该装置由3个以上的多个真空激光处理腔构成,并在多个真空的激光处理腔外,配置了环形轨道和在环形轨道附近配置一个以上取送片机械手及一个以上片盒;机械手在环形轨道上运行;激光光束位于多个真空激光处理腔之间,通过机械部件带动,可处于欲处理真空激光处理腔的上方,并且进行扫描移动,使激光光束在各真空激光处理腔顶面通过激光透明窗口轮转对真空激光处理腔内的晶圆片进行激光辐照处理。 |
地址 |
100084 北京市海淀区北京市100084-82信箱 |