发明名称 |
氮化物系半导体发光结构 |
摘要 |
本发明公开了一种氮化物系半导体发光结构,其发光主波长介于500至540纳米之间,其包含P型氮化物系半导体层、N型氮化物系半导体层及氮化物系半导体主动层。所述的氮化物系半导体主动层形成于P型氮化物系半导体层及N型氮化物系半导体层之间。此外,氮化物系半导体主动层包含复数对量子井结构,每一对量子井结构堆栈成为夹层状。再者,每一对量子井结构包含一井层及一阻障层,其中每一阻障层的厚度介于10至25纳米之间。 |
申请公布号 |
CN102655196A |
申请公布日期 |
2012.09.05 |
申请号 |
CN201110053394.3 |
申请日期 |
2011.03.04 |
申请人 |
新世纪光电股份有限公司 |
发明人 |
赖彦霖 |
分类号 |
H01L33/32(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/32(2010.01)I |
代理机构 |
北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 |
代理人 |
王正茂;龚镇雄 |
主权项 |
一种氮化物系半导体发光结构,包含:一P型氮化物系半导体层;一N型氮化物系半导体层;以及一氮化物系半导体主动层,其形成于该P型氮化物系半导体层及该N型氮化物系半导体层之间,其特征在于,该氮化物系半导体主动层包含复数对量子井结构,该复数对量子井结构的发光主波长介于500至540纳米之间,且每一该复数对量子井结构包含一井层及一阻障层,该阻障层厚度介于10至25纳米之间。 |
地址 |
中国台湾台南市善化区大利三路5号 |