发明名称 微电子传感器设备
摘要 本发明涉及一种用于在介质中的用于包含靶成分的检测体积中响应于入射辐射而提供消逝辐射的光学设备,该检测体积具有至少一个小于衍射极限的平面内维度(W1)。衍射极限由辐射波长和介质限定。消逝辐射由具有小于衍射极限的最小平面内孔隙维度W1的孔隙限定结构提供。检测体积在所述孔隙限定结构之间提供。此外,孔隙限定结构限定了最大平面内孔隙维度W2;其中所述最大平面内孔隙维度大于衍射极限。提供了一种源,其用于发射在光学设备处入射的具有一定波长且具有不平行于平面外法线方向的入射方向的辐射束,以便响应于光学设备处入射的辐射而在检测体积中提供消逝辐射。入射平面平行于最大平面内孔隙维度。
申请公布号 CN101910827B 申请公布日期 2012.09.05
申请号 CN200880123020.0 申请日期 2008.12.18
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 D·J·W·克伦德
分类号 G01N21/64(2006.01)I;G01N21/55(2006.01)I 主分类号 G01N21/64(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 李亚非;刘鹏
主权项 一种微电子传感器,包括光学设备(100)、提供入射辐射束(101)的源(21)以及用于响应于来自该源的发射的入射辐射而检测来自介质中的用于包含靶成分(10)的检测体积中存在的所述靶成分的辐射的检测器(310,22),该光学设备还包括:‑孔隙限定结构(20),其被配置成响应于入射辐射(101)而在检测体积(4)中提供消逝辐射(E2);所述孔隙限定结构的孔隙分布在一定平面内并且在该平面内具有平行于第一矢量且小于衍射极限的最小孔隙维度(W1);以及平行于与第一矢量垂直的第二矢量且大于所述衍射极限的最大孔隙维度(W2);所述衍射极限由入射辐射的波长限定且由介质限定,并且其中检测体积在所述孔隙限定结构(20)之间提供;‑光学引导设备(21,31),其用于将具有一定波长的辐射束引导成在光学设备(100)上具有一定入射方向,用于响应于该光学设备处入射的辐射而在检测体积(4)中提供消逝辐射,其中光学引导设备(21,31)被设置成提供沿着第二矢量且垂直于第一矢量的入射平面。
地址 荷兰艾恩德霍芬