| 发明名称 | 一种用于减少基片背面聚合物的装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于减少基片背面聚合物的装置，其设置在等离子体蚀刻室中，包含围绕设置在基座外周侧的聚焦环，该聚焦环具有一延伸部，其延伸至基片背面的边缘之下；包含设置于基片背面之下，并介于基座外周侧和聚焦环延伸部之间的低温环；还包含位于低温环之下，且围绕基座外周侧设置的散热环，该散热环由高导热的电绝缘材料制成。本发明通过所述的低温环和散热环，可快速地传导低温环上的热量，使低温环上的温度低于热裂解温度，最终可减少蚀刻过程中沉积生成在基片背面的聚合物。 | ||
| 申请公布号 | CN101989543B | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN200910056086.9 | 申请日期 | 2009.08.07 |
| 申请人 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 发明人 | 倪图强;徐朝阳;吴狄;陈妙娟 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;C30B33/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 朱九皋 |
| 主权项 | 一种用于减少基片背面聚合物的装置，其围绕设置于一等离子体蚀刻室中的基片(2)的基座(1)的外周侧，所述基片(2)的边缘突出于所述的基座(1)的上表面(102)的边缘，特征在于，所述的用于减少基片背面聚合物的装置包含：一聚焦环(12)，其围绕设置于所述基座(1)的外周侧；该聚焦环(12)具有一延伸部(123)，其至少部分地延伸至基片(2)背面的边缘之下；一低温环(13)，其设置于基片(2)的背面之下，并且介于所述基座(1)的外周侧及所述聚焦环(12)的延伸部(123)之间；以及一散热环(15)，其位于所述的低温环(13)之下，并且围绕所述基座(1)的外周侧设置。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东金桥出口加工区(南区)泰华路188号 | ||