| 发明名称 | 半导体基板接触通孔 | ||
| 摘要 | 第一导电层(104)和硅酸盐玻璃层(106)的边缘沿着延伸至半导体基板(41)的通孔(164)彼此相邻地延伸。导电体(112/114)通过通孔(164)延伸至与半导体基板(41)接触。 | ||
| 申请公布号 | CN101960565B | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN200880127613.4 | 申请日期 | 2008.02.28 |
| 申请人 | 惠普开发有限公司 | 发明人 | G·N·伯顿;P·I·米库兰 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘金凤;王洪斌 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：半导体基板(41)；基板(41)上的第一导电层(104)；第一导电层(104)上的硅酸盐玻璃层(106)，所述硅酸盐玻璃层(106)和第一导电层(104)具有沿着延伸至基板(41)的通孔(164)的相邻边缘；硅酸盐玻璃层(106)上的第二导电层(110)；第二导电层(110)上的第一电介质层(112)；以及所述第一电介质层上的第三导电层(114/116)，第三导电层(114/116)与第二导电层(110)电接触并通过通孔(164)延伸至与基板(41)电接触。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||