PROCESS FOR ANISOTROPIC ETCHING OF SEMICONDUCTORS,申请号KR20127014831-传众专利搜索

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发明名称	PROCESS FOR ANISOTROPIC ETCHING OF SEMICONDUCTORS
摘要
申请公布号	KR20120097382(A)	申请公布日期	2012.09.03
申请号	KR20127014831	申请日期	2010.11.05
申请人	3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY	发明人	SMITH TERRY L.;ZHANG JUN YING
分类号	H01L21/3065	主分类号	H01L21/3065
代理机构		代理人
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