发明名称 半导体装置以及其之制造方法
摘要 一种包括具有优异散热特性之结构的半导体装置。第一散热构件系藉由使用黏着剂材料设置在布线板上。半导体元件系藉由使用黏着剂材料黏附在第一散热构件上。设置在布线板上之半导体元件及电极系藉由焊接线连接。覆盖半导体元件及焊接线之第二散热构件系藉由使用导电性黏着剂材料接合至第一散热构件。第二散热构件之内部及外部系藉由树脂密封,除了其平坦顶部以外。藉由如此做以制造半导体装置。在半导体元件中产生且传导至第一散热构件的热系自第一散热构件之边缘部释放。此外,在半导体元件中产生且传导至第一散热构件的热系传导至导电性黏着剂材料及第二散热构件,且自第二散热构件之平坦顶部释放。
申请公布号 TWI371836 申请公布日期 2012.09.01
申请号 TW096127798 申请日期 2007.07.30
申请人 富士通半导体股份有限公司 日本 发明人 加藤祯胤;藤泽哲也;佐藤光孝;吉田英治
分类号 H01L23/34 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项
地址 日本