| 摘要 |
本发明提供一种半导体发光装置，其中作用层中产生的自发电场被减小而实现增强亮度。半导体发光装置(1)具有一n－型覆盖层(3)、一在该n－型覆盖层(3)上所提供之p－型覆盖层(7)及一由氮化物组成并在该n－型覆盖层(3)与该p－型覆盖层(7)之间所提供之作用层(5)，且其中之特征在于，由正交于该n－型覆盖层(3)与该作用层(5)之间之界面之轴线与该作用层(5)中之c轴线所形成之角度，以及由正交于该作用层(5)与该p－型覆盖层(7)之间之界面之轴线与该作用层(5)中之c轴线所形成之角度皆大于零。 |
