半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置包括一半导体基材，设于上述半导体基材上方的一含氧绝缘膜，设于上述绝缘膜中的一凹状部，设于上述凹状部之内壁上的一含铜第一膜，设于上述第一膜上方且填充上述凹状部的一含铜第二膜，及设于上述第一膜及上述第二膜之间的一含锰氧化物层。更且，藉电镀方法及接着于温度80℃至120℃下执行短时间的热处理，一铜互连形成于上述结构上。