一种具应力区的金属氧化半导体结构

摘要

本发明系关于一种具应力区的金属氧化半导体结构，包含：一基底，具有一第一元件区与一第二元件区；一应力区，系位于该第一元件区与该第二元件区内各包含有一第一部分及一第二部分；其中，该第一及第二部分产生的应力不相同；一位障插塞，系分隔该第一元件区与该第二元件区；一复数个氧化层间隔物，系位于该第一部分与该位障插塞之间，并紧邻于该第一部分。由于该应力区所产生之应力，使载子迁移率提升进而提高读取电流，而可用较低的读取电压来达到原本所需的读取电流，进而降低压致漏电流发生的可能性而使资料的保存性得以提高。