用于规划非依电性记忆体阵列之方法、系统与电路

摘要

本发明是有关于一种用于规划在NVM阵列中非依电性记忆体(“NVM”)单元之多阶段方法、电路、以及系统。本发明可以包括控制器以决定在第一规划阶段期间、此第一组单元之一或多个NVM单元何时抵达或超过第一中间电压，且导致充电帮浦电路将第二阶段规划脉冲施加至第一组中一或多个单元之端子，而在具有较少储存电荷之单元中、较具有比较多储存电荷之单元中导致较大相对临界电压改变。