原子层沉积装置

摘要

本发明包含有可进行以气相所作之膜成长的成膜室、设有配置于成膜室内部之加热机构的基板台及排气机构，且还包含有原料供应部，且该原料供应部系由原料气化器、2个缓冲槽A和缓冲槽B、缓冲槽A之填充阀A和供应阀A、缓冲槽B之填充阀B和供应阀B、导入控制阀及可控制各阀开闭之控制部构成者。