高迁移率之场效应电晶体之结构与制造方法

摘要

一种制造一高迁移率之半导体层结构及场效应电晶体(MODFET)之结构及方法。此结构具有一高迁移率之导电性通道，同时维持相反掺杂，以控制有害的短通道效应。此MODFET设计包含一高迁移率之导电性通道，其中此方法使用一标准技术，如离子植入，使相反掺杂得以形成，且进一步使高迁移率通道接近相反掺杂(counter-doping)，而不会有迁移率下降。