发明名称 一种场发射阴极之制备方法
摘要 本发明涉及一种场发射阴极之制备方法,该方法包括下列步骤:提供一基板,于该基板上沈积一金属层;于金属层表面形成复数凹槽;对金属层表面进行氧化处理,形成一金属氧化物层;去除复数凹槽底部之金属氧化物层;于凹槽底部设置一层金属盐溶液;于凹槽底部生长奈米碳管。
申请公布号 TWI371773 申请公布日期 2012.09.01
申请号 TW094146314 申请日期 2005.12.23
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 发明人 董才士
分类号 H01J37/073 主分类号 H01J37/073
代理机构 代理人
主权项
地址 新北市土城区自由街2号
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