| 摘要 |
一种用以形成具有场板之电晶体装置的方法包含形成具有源极、汲极、和T形闸极(Tee gate)之结构，光阻层系形成于该结构上，而在光阻层中具有使T形闸极之两个远侧末端之仅其中一个远侧末端暴露出的开口，金属系沉积于该光阻层之上，具有该金属的部分系配置于该光阻层上，且具有该金属的其他部分通过该电介质层之该等露出部分上的该开口，并具有该T形闸极之顶部的远侧末端防止该金属被沉积于该电介质层之配置于该远侧末端之下的部分上。去除该光阻层连同沉积于其上之金属的该等部分，而同时从该电介质层之被该开口所暴露出之区域留下该金属的部分，以形成该场闸极。 |
