| 摘要 |
可藉由个别地抹除一组记忆体单元之部分来抹除该组记忆体单元，以便正规化每一记忆体单元之抹除行为及提供更一致之抹除速率。可将一抹除电压脉冲施加至该组记忆体单元，其中第一群单元经偏压以抹除且第二群单元经偏压以抑制抹除。可接着施加一第二抹除电压脉冲，其中第二群经偏压以抹除且第一群经偏压以抑制抹除。选择该等群组，使得第一脉冲期间在第一子集中之单元的抹除电位大约相等，使得在第二脉冲期间在第二子集中之单元的抹除电位大约相等，且使得第一子集中之单元的抹除电位与第二子集中之单元的抹除电位大约相同。在一实施例中，在每一个别抹除期间为该串选择偏压条件，使得该组记忆体单元中之每一记忆体单元将经历来自邻近电晶体之类似的电容耦合效应。 |
