抛光垫、制造该垫之方法及使用该垫以制造半导体装置之方法

摘要

本发明系提供一用以在一半导体装置的制造程序中藉由CMP(化学机械抛光)来平面化间层介电质及类似物之抛光垫，一制造该抛光垫之方法以及一利用该抛光垫来制造一半导体装置之方法。本发明有关一半导体晶圆抛光垫，该半导体晶圆抛光垫系在一抛光表面中具有沟槽且由一经发泡聚胺基甲酸酯所形成，其中包含一侧表面及一底表面之沟槽的一经处理表面系具有不大于10的一表面粗度Ra。