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Bereitgestellt werden eine Ätz-Lösung, mit der beim Verarbeiten von Silizium durch Ätzen, insbesondere bei einem anisotropen Ätz-Verfahren von Silizium in einem Herstellungs-Verfahren von Halbleitern oder MEMS-Teilen, eine hohe Ätz-Rate verwirklicht wird, die für eine Hydroxylamin-enthaltende Ätz-Lösung charakteristisch ist, und das Vermindern der Abnahme der Si-Ätz-Rate veranlasst wird, wenn Cu in der Lösung vorliegt, und ein Ätz-Verfahren. Die Ätz-Lösung ist eine Lösung zum Ätzen von Silizium, die eine alkalische wässrige Lösung darstellt, die ein alkalisches Hydroxid, Hydroxylamin und einen Thioharnstoff enthält und sich durch anisotropes Lösen von monokristallinem Silizium auszeichnet, und das Ätz-Verfahren ist ein Ätz-Verfahren von Silizium unter Verwendung der Ätz-Lösung.
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