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Verfahren mit den folgenden in angegebener Reihenfolge nacheinander ausgeführten Schritten: konformes Bilden einer ersten verspannungsinduzierenden Schicht (440), die eine erste Art an Verspannung erzeugt, über mehreren ersten (420A) und mehreren zweiten Transistoren (420B), die über einem Substrat (401) ausgebildet sind; Bilden einer ersten Pufferschicht (450B) über der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (440), wobei die erste Pufferschicht (450B) ein besseres Spaltenfüllverhalten als die erste verspannungsinduzierende Schicht (440) aufweist; Entfernen der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (440) und der ersten Pufferschicht (450B) von den mehreren ersten Transistoren (420A); Bilden einer zweiten verspannungsinduzierenden Schicht (430A) über der verbleibenden ersten Pufferschicht (450B) und den mehreren ersten Transistoren (420A), wobei die zweite verspannungsinduzierende Schicht (430A) eine zweite Art an Verspannung erzeugt, die von der ersten Art an Verspannung verschieden ist; Entfernen der zweiten verspannungsinduzierenden Schicht (430A) vollständig von der verbleibenden ersten Pufferschicht (450B); Bilden einer zweiten Pufferschicht (450A) auf der verbleibenden ersten...
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