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Eine Silizium-Durchkontaktierungs(TSV)-Struktur, die eine einzige koaxiale oder triaxiale Kopplung innerhalb des Siliziumsubstrats 40 bildet. Die TSV-Struktur wird mit zwei oder mehr unabhängigen elektrischen Leitern 50, 80 bereitgestellt, die voneinander und von dem Substrat isoliert sind. Die elektrischen Leiter können mit unterschiedlichen Spannungen oder Massen verbunden werden, wodurch es möglich ist, die TSV-Struktur als eine koaxiale oder triaxiale Vorrichtung zu betreiben. Mehrere Schichten unter Verwendung verschiedener Materialien können als Isolator verwendet werden, wobei die Schichten bezogen auf dielektrische Eigenschaften, Füll-Eigenschaften, Grenzflächenhaftung, CTE-Übereinstimmung und dergleichen ausgewählt werden. Die TSV-Struktur überwindet Mängel in der äußeren Isolierschicht, die zu Leckstellen führen können. Ein Verfahren zur Herstellung einer solchen TSV-Struktur wird ebenfalls beschrieben. |
