| 发明名称 | 蓝光LED蒸镀用铟锡氧化物靶的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种蓝光LED蒸镀用铟锡氧化物靶的制备方法。该方法包括如下步骤：将经过一次烧结得到的铟锡氧化物初靶进行二次烧结，控制二次烧结时的温度为1450～1480℃，氧分压-0.01Mpa～-0.095Mpa，烧结时间为2～3小时。本发明能提高氧化锡在氧化铟中的固溶度，使铟锡氧化物靶导电性更好，将此铟锡氧化物靶用于蒸镀蓝光LED，获得的铟锡氧化物膜具有更高的导电性和更高的蓝光透过率。 | ||
| 申请公布号 | CN102650042A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201210137632.3 | 申请日期 | 2012.05.07 |
| 申请人 | 长沙壹纳光电材料有限公司 | 发明人 | 陈明飞 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 长沙永星专利商标事务所 43001 | 代理人 | 周咏;米中业 |
| 主权项 | 一种蓝光LED蒸镀用铟锡氧化物靶的制备方法，其特征是将经过一次烧结得到的铟锡氧化物初靶进行二次烧结，烧结温度为1450～1480℃，调整氧分压至‑0.01Mpa～‑0.095Mpa，烧结时间为2～3小时。 | ||
| 地址 | 410600 湖南省长沙市宁乡县金洲新区澳洲路068号 | ||