| 发明名称 | 太阳能电池中使用的Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)基薄膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及太阳能电池中使用的Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)基薄膜及其制造方法，更确切地说，涉及应用在太阳能电池中，具有低制造成本、高转换效率的Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)基薄膜及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102652368A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201080056028.7 | 申请日期 | 2010.11.08 |
| 申请人 | 韩国能源技术研究院 | 发明人 | 尹载浩;尹庆勋;安世镇;郭智惠;申基植;金圭镐;金镇赫 |
| 分类号 | H01L31/052(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/052(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 竺路玲 |
| 主权项 | 一种用作太阳能电池中光吸收层的太阳能电池Cu‑In‑Zn‑Sn‑(Se,S)基薄膜。 | ||
| 地址 | 韩国大田市儒城区柯亭路102 | ||