发明名称 光传感器和电子设备
摘要 提供一种能够确保足够的增益而不会导致输出信号的电压下降的光传感器以及电子设备。具备:正极接地的光电二极管(PD1)、一端连接到光电二极管(PD1)的负极的二极管组(DG1)、一端连接到二极管组(DG1)的另一端的电流源(I1)、对电流源(I1)的另一端施加一定电压的电源部、以及基极连接到光电二极管(PD1)的负极且集电极连接到电流源(I1)的一端的发射极接地型的NPN晶体管(QOUT1)。上述二极管组(DG1)是串联连接成导通方向朝向光电二极管(PD1)侧的n个(n是2以上的整数)二极管(D1,D2,...,Dn),从二极管组(DG1)与电流源(I1)的连接点,在光电二极管(PD1)中流过的光电流变换为电压而作为光电变换信号输出。
申请公布号 CN102650546A 申请公布日期 2012.08.29
申请号 CN201210043675.5 申请日期 2012.02.23
申请人 夏普株式会社 发明人 安川光平;冈田教和;白坂康之
分类号 G01J1/44(2006.01)I 主分类号 G01J1/44(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 胡金珑
主权项 一种光传感器,其特征在于,具备:光电二极管,其正极接地;电流电压变换部,其一端连接到所述光电二极管的负极;电流源,其一端连接到所述电流电压变换部的另一端;电源部,对所述电流源的另一端施加一定电压;以及发射极接地型或源极接地型的输出晶体管,其基极或栅极连接到所述光电二极管的负极,并且其集电极或漏极连接到所述电流源的一端,所述电流电压变换部包括半导体元件组,其中该半导体元件组具有串联连接成其导通方向朝向所述光电二极管侧的n个PN结,n是2以上的整数,从所述电流电压变换部与所述电流源的连接点,在所述光电二极管中流过的光电流变换为电压而作为光电变换信号输出。
地址 日本大阪府