发明名称 | 一种TFT阵列基板的制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种TFT阵列基板的制造方法,其包括以下步骤:通过构图工艺在基板上分别形成包括栅电极、栅极扫描线、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、透明像素电极、源电极、漏电极、刻蚀阻挡层、数据线、保护层以及接触过孔的图形,所述金属氧化物半导体层、源电极、漏电极通过一次构图工艺形成。该制造方法能够简化制作工艺,提高生产效率,降低生产成本,且提高了良品率。 | ||
申请公布号 | CN102651340A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
申请号 | CN201110460545.7 | 申请日期 | 2011.12.31 |
申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘翔;薛建设 |
分类号 | H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 罗建民;陈源 |
主权项 | 一种TFT阵列基板的制造方法,包括以下步骤:通过构图工艺在基板上分别形成包括栅电极、栅极扫描线、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、透明像素电极、源电极、漏电极、刻蚀阻挡层、数据线、保护层以及接触过孔的图形,其特征在于,所述金属氧化物半导体层、源电极、漏电极通过一次构图工艺形成。 | ||
地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |