一种外延生长用的图形衬底及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体发光器件及其制作方法，尤其涉及一种外延生长用的图形衬底及其制作方法，在基板上蒸镀一层Al层；在Al层的上表面，采用阳极氧化的方法，使Al层上部一定厚度的Al转化成多孔图形的Al2O3结构；将上述结构从低温到高温渐变的分段加热方法，加热至1000℃以上且在Al2O3熔点以下的温度，直至非晶的Al2O3转变成单晶Al2O3层，最终形成蓝宝石结构层，从而自下而上形成基板/Al层/具有多孔图形的蓝宝石结构层。此图形结构衬底的制作不须经过掩膜光刻工艺；此衬底具有高反射特性，可有效释放外延层的热应力；在此衬底上外延的生长与传统蓝宝石衬底外延技术相兼容。

主权项

一种外延生长用的图形衬底的制作方法，包括以下步骤：a、在基板上蒸镀一层Al层；b、在Al层的上表面，采用阳极氧化的方法，使Al层上部一定厚度的Al转化成多孔图形的Al2O3结构；c、将上述结构从低温到高温渐变的分段加热方法，加热至1000℃以上且在Al2O3熔点以下的温度，直至非晶的Al2O3转变成单晶Al2O3层，最终形成蓝宝石结构层，完成该衬底的制作；其特征在于，步骤b和c之间还包括以下步骤：采用电子束光刻、多光束干涉或离子束刻蚀方法，制作具有周期性图形的硬膜，然后采用压印的方法，在Al2O3层表面形成周期性微孔，得到周期性的光子晶体图形。