| 发明名称 | 双面抛光半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种双面抛光半导体晶片的方法，所述方法包括在第一步中，用含有固着磨料的抛光垫抛光半导体晶片的正面，同时用不含磨料的抛光垫抛光半导体晶片的背面，但是在这个过程中将含有磨料的抛光剂加入到该抛光垫和半导体晶片的背面之间，然后翻转半导体晶片，然后在第二步中，用含有固着磨料的抛光垫抛光半导体晶片的背面，同时用不含固着磨料的抛光垫抛光半导体晶片的正面，含有磨料的抛光剂被加入到该抛光垫和半导体晶片的正面之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101927447B | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201010144726.4 | 申请日期 | 2010.03.22 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | J·施万德纳 |
| 分类号 | B24B29/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B29/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 一种双面抛光半导体晶片的方法，其包括在第一步中，用含有固着磨料的抛光垫抛光所述半导体晶片的正面，同时用不含固着磨料的抛光垫抛光所述半导体晶片的背面，但是在这个过程中将含有磨料的抛光剂加入到该抛光垫和该半导体晶片的背面之间；然后翻转半导体晶片；接着在第二步中，用含有固着磨料的抛光垫抛光半导体晶片的背面，同时用不含固着磨料的抛光垫抛光半导体晶片的正面，含有磨料的抛光剂被加入到该抛光垫和该半导体晶片的正面之间。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||