| 发明名称 | 用于半导体器件的钝化层 | ||
| 摘要 | 本披露的实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：包括最顶层金属化层的多个金属化层。最顶层金属化层具有厚度为T1并且分开一间隙的两个金属部件。复合钝化层包括在氮化层之下的HDP CVD氧化层。复合钝化层设置在金属部件之上并且部分填充间隙。复合钝化层具有厚度T2，约为厚度T1的20％至50％。 | ||
| 申请公布号 | CN102651346A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201210020667.9 | 申请日期 | 2012.01.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘人豪;倪其聪;林晓因;林崇民 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：多个金属化层，包括最顶层金属化层，所述最顶层金属化层具有被一间隙隔开的两个金属部件，每个金属部件均具有厚度T1；以及复合钝化层，包括在氮化层之下的高密度等离子体(HDP)化学汽相沉积(CVD)氧化层，所述复合钝化层设置在所述金属部件之上并且部分填充所述间隙，其中，所述复合钝化层具有厚度T2，所述厚度T2约为所述厚度T1的20％至50％。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||