发明名称 |
利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法 |
摘要 |
本发明是利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法,单晶硅衬底上是高V/III比氮化铝缓冲层;高V/III比氮化铝缓冲层上是低V/III比氮化铝缓冲层;低V/III比氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶薄膜;碳化硅单晶薄膜上是宽禁带单晶薄膜;其制备工艺:单晶硅衬底上制备高V/III比氮化铝缓冲层;在高V/III比氮化铝缓冲层上制备低V/III比氮化铝缓冲层;降至室温取出;在低V/III比氮化铝缓冲层上制备SiC单晶薄膜;在SiC单晶薄膜上制备宽禁带单晶薄膜;降至室温取出。优点:高、低V/III比AlN缓冲层结合有助于缓冲应力;通过AlN缓冲层易制宽禁带单晶薄膜;掺杂形成n或p型SiC单晶薄膜;大尺寸低成本。 |
申请公布号 |
CN102651310A |
申请公布日期 |
2012.08.29 |
申请号 |
CN201210100958.9 |
申请日期 |
2012.04.09 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
发明人 |
李忠辉;彭大青;李亮;董逊;倪金玉;张东国 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
南京君陶专利商标代理有限公司 32215 |
代理人 |
沈根水 |
主权项 |
利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜,其特征是单晶硅衬底(1)上是氮化铝(AlN)缓冲层(2);氮化铝(AlN)缓冲层(2)上是氮化铝(AlN)缓冲层(3);氮化铝(AlN)缓冲层(3)上是碳化硅(SiC)单晶薄膜(4);碳化硅(SiC)单晶薄膜(4)上是六方相宽禁带单晶薄膜(5);其制备方法,包括如下工艺步骤:一、在单晶硅衬底(1)上制备氮化铝(AlN)缓冲层(2),其结构为六方相;二、氮化铝(AlN)缓冲层(2)上制备氮化铝(AlN)缓冲层(3);三、降至室温,取出;四、在氮化铝(AlN)缓冲层(3)上制备碳化硅(SiC)单晶薄膜(4),其结构为六方相;五、降至室温,取出;六、若制备氮化物单晶薄膜,则在碳化硅(SiC)单晶薄膜(4)上首先制备氮化铝成核层,再在氮化铝成核层上制备氮化物单晶薄膜(5);若制备碳化硅(SiC)单晶薄膜(4),则在碳化硅(SiC)单晶薄膜(4)上直接制备六方相氮化物或碳化硅等宽禁带单晶薄膜(5);七、降至室温,取出。 |
地址 |
210016 江苏省南京市中山东路524号 |