发明名称 |
非易失性存储装置及其操作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种非易失性存储装置,包括:页区域,包括多个正常单元和多个辅助单元;检测单元,被配置为当页区域的编程目标单元中有至少一个单元被编程了高于参考电压的电压时输出合格信号;计数储存单元,被配置为在页区域的第一编程操作期间将计数储存在多个辅助单元中,其中所述计数表示直到从检测单元输出通过信号为止施加给至少一个单元的编程脉冲的总数;以及电压设置单元,被配置为基于储存在多个辅助单元中的计数来为页区域的第二编程操作设置编程起始电压。 |
申请公布号 |
CN102651235A |
申请公布日期 |
2012.08.29 |
申请号 |
CN201110141927.3 |
申请日期 |
2011.05.30 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
哲;朴成济 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
郭放;许伟群 |
主权项 |
一种非易失性存储装置,包括:页区域,所述页区域包括多个正常单元和多个辅助单元;检测单元,所述检测单元被配置为当所述页区域的编程目标单元中有至少一个单元被编程了高于参考电压的电压时输出合格信号;计数储存单元,所述计数储存单元被配置为在所述页区域的第一编程操作期间将计数储存在所述多个辅助单元中,其中所述计数表示直到从所述检测单元输出所述合格信号为止施加给所述至少一个单元的编程脉冲的总数;以及电压设置单元,所述电压设置单元被配置为基于储存在所述多个辅助单元中的所述计数来为所述页区域的第二编程操作设置编程起始电压。 |
地址 |
韩国京畿道 |