| 发明名称 | 布线、薄膜晶体管、薄膜晶体管面板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种布线、一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管面板及其制造方法。薄膜晶体管包括：栅电极；栅极绝缘层，位于栅电极上；半导体，位于栅极绝缘层上；漏电极和源电极，位于半导体上并且彼此分隔开。漏电极和源电极中的每个包括防止金属原子的扩散的第一金属扩散防止层和位于第一金属扩散防止层上的第二金属扩散防止层。第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层中的至少一个包括沿基本垂直于半导体的方向的柱状结构的晶粒。第一金属扩散防止层的第一晶界和第二金属扩散防止层的第二晶界在沿垂直于半导体的方向上基本是不连续的。 | ||
| 申请公布号 | CN102651402A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201210046417.2 | 申请日期 | 2012.02.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴在佑;赵圣行;金景燮;赵东演 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅电极；栅极绝缘层，位于栅电极上；半导体，位于栅极绝缘层上；漏电极和源电极，位于半导体上并且彼此分隔开，漏电极和源电极中的每个包括第一金属扩散防止层和位于第一金属扩散防止层上的第二金属扩散防止层，第一金属扩散防止层位于栅极绝缘层上，其中，第一金属扩散防止层防止金属原子的扩散，其中，第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层中的至少一个包括沿基本垂直于半导体的方向的柱状结构的晶粒，第一金属扩散防止层的第一晶界和第二金属扩散防止层的第二晶界在沿垂直于半导体的方向上基本是不连续的。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||