| 发明名称 | 三结叠层GaAs激光光伏电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种三结叠层GaAs激光光伏电池，包括GaAs的衬底，以及在所述衬底上依次设置的N型GaAs导电层、第一隧穿结、底电池、第二隧穿结、中电池、第三隧穿结、顶电池、窗口层以及GaAs接触层。本发明还提供一种如上述的三结叠层GaAs激光光伏电池制备方法，包括步骤：（1）提供GaAs衬底；（2）在衬底上依次生长N型GaAs导电层、第一隧穿结、底电池、第二隧穿结、中电池、第三隧穿结、顶电池、窗口层与GaAs接触层。 | ||
| 申请公布号 | CN102651416A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201210154998.1 | 申请日期 | 2012.05.18 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 赵春雨;董建荣;赵勇明;孙玉润;李奎龙;于淑珍;杨辉 |
| 分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L27/142(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 孙佳胤;翟羽 |
| 主权项 | 一种三结叠层GaAs激光光伏电池，其特征在于，包括GaAs的衬底，以及在所述衬底上依次设置的N型GaAs导电层、第一隧穿结、底电池、第二隧穿结、中电池、第三隧穿结、顶电池、N型窗口层以及GaAs接触层。 | ||
| 地址 | 215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 | ||