具有晶体管的半导体元件及其制法

摘要

本发明公开一种具有晶体管的半导体元件及其制法，包括：承载板；金属氧化物半导体层，设于该承载板上；介电层，设于该金属氧化物半导体层上，该介电层构成微奈米级线宽的图案，以外露部分该金属氧化物半导体层，该金属氧化物半导体层的外露表面的载子浓度大于该金属氧化物半导体层内部的载子浓度；图案化遮罩层，设于该介电层的顶面上；以及源极金属层与漏极金属层，设于外露的该金属氧化物半导体层上。本发明通过于闸极区进行微奈米等级的图形掺杂，因此大幅增进了有效载子迁移率，并提升晶体管的操作特性。本发明还提供一种具有晶体管的半导体元件的制法。

主权项

一种具有晶体管的半导体元件的制法，其特征在于，包括：提供一承载板；于该承载板上形成金属氧化物半导体层；于该金属氧化物半导体层上形成介电层，使该金属氧化物半导体层夹置于该承载板与介电层之间；于该介电层上形成图案化遮罩层，该图案化遮罩层用于构成微奈米级线宽的图案，以外露部分该介电层；移除未被该图案化遮罩层所覆盖的介电层，以形成介电层开孔，使该金属氧化物半导体层外露于该介电层开孔；对外露的该金属氧化物半导体层进行表面处理，以使该金属氧化物半导体层的外露表面的载子浓度增加；以及于外露的该金属氧化物半导体层上形成源极金属层与漏极金属层。