| 发明名称 | 对非易失性存储器件生成编程电压的电路和方法 | ||
| 摘要 | 提供一种用于生成编程电压的电路和方法以及使用该电路和方法的非易失性存储器件。生成用于编程半导体存储器件的存储单元的编程电压的电路包括编程电压控制器和电压生成单元。编程电压控制器根据编程/擦除操作信息生成编程电压控制信号。电压控制器响应于该编程电压控制信号，生成编程电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101162610B | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN200710180164.7 | 申请日期 | 2007.10.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李镇旭;李真烨 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邵亚丽 |
| 主权项 | 一种用于生成非易失性存储器件中的编程电压的电路，该电路包括：编程电压控制器，根据编程/擦除操作信息生成编程电压控制信号，其中，编程/擦除操作信息指示该非易失性存储器件内的存储单元已被编程或擦除的次数；和电压生成单元，生成编程电压，其中编程电压具有响应于该编程电压控制信号而变化的电平。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||