形成介电膜的方法

摘要

本发明公开了形成介电膜的方法。在硅衬底上形成包括金属硅酸盐的介电膜的方法包括：第一步，使硅衬底的表层部分氧化并形成二氧化硅膜；第二步，将离子照射在二氧化硅膜的表面上并将二氧化硅膜的表层部分制成具有Si-O结合切断的反应加速层；第三步，在非氧化气氛中将金属膜层叠在反应加速层上；和第四步，使金属膜氧化并形成将金属从金属膜扩散到二氧化硅膜的金属硅酸盐膜。

主权项

一种在硅衬底上形成包括金属硅酸盐的介电膜的方法，包括：第一步，使硅衬底的表面氧化以形成硅氧化物膜；第二步，将离子照射在硅氧化物膜的表面上以使硅氧化物膜的表面成为具有Si‑O结合切断的反应加速层，所述离子选自He、Ne、Ar、Kr和Xe稀有气体离子、和氮、氧及其化合物的分子离子构成的组；第三步，在非氧化气氛中将金属膜层叠在反应加速层上；和第四步，使金属膜氧化以形成将金属从金属膜扩散到硅氧化物膜的金属硅酸盐膜，其中，离子的入射能量为大于等于2eV且小于等于20eV。