发明名称 |
高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺 |
摘要 |
本发明提供了一种高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺,其特征是首先按重量百分比,将10~15%的粘接剂,5~20%的石墨,20~40%的硅粉,30~60%的金刚石颗粒湿混,混合时间16~24h。然后在10~50MPa压力和150℃的温度下温压成形获得复合材料毛坯。在氩气保护气氛中1100℃烧结24h,随炉冷却后得到具有一定强度和孔隙度的Diamond/Si/C多孔基体。然后将气相渗透的渗料置于石墨坩埚中,将所制备的Diamond/Si/C多孔基体置于该石墨坩埚上,然后整体置于高真空烧结炉中进行真空气相渗透1-2h,渗透温度1500~1650℃,真空度-0.08~-0.01MPa。随炉冷却后即可获得致密的Diamond/SiC电子封装材料。本发明是一种周期短、工艺简单、设备要求较低、成本低,并可制备复杂形状致密Diamond/SiC电子封装材料的方法。 |
申请公布号 |
CN102176436B |
申请公布日期 |
2012.08.29 |
申请号 |
CN201110065272.6 |
申请日期 |
2011.03.17 |
申请人 |
北京科技大学 |
发明人 |
何新波;杨振亮;吴茂;刘荣军;任淑彬;曲选辉 |
分类号 |
H01L23/29(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/29(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 |
代理人 |
朱元萍 |
主权项 |
一种高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备方法,其特征在于,所述的高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备方法包括:制备的Diamond/Si/C多孔基体,将气相渗透的渗料纯硅置于石墨坩埚中,将所制备的Diamond/Si/C多孔基体置于该石墨坩埚上,然后整体置于高真空烧结炉中进行真空气相渗透1‑2h,渗透温度1500~1650℃,真空度‑0.08~‑0.01MPa,随炉冷却后即可获得致密的Diamond/SiC电子封装材料。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号 |