| 发明名称 | 三结级联太阳能电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种三结级联太阳能电池包括GaAs或Ge的衬底，以及在所述衬底上依次设置的第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提供一种如上述的三结级联太阳能电池的制备方法，步骤为在衬底上依次生长第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。 | ||
| 申请公布号 | CN102651417A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201210154999.6 | 申请日期 | 2012.05.18 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 于淑珍;董建荣;李奎龙;孙玉润;赵勇明;赵春雨;杨辉 |
| 分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 孙佳胤;翟羽 |
| 主权项 | 一种三结级联太阳能电池，其特征在于，包括GaAs或Ge的衬底，以及在所述衬底上依次设置的第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。 | ||
| 地址 | 215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 | ||