| 发明名称 | 一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示器件 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示器件，涉及显示器件制造技术领域，以避免半导体有源层被直接光照和刻蚀而造成的破坏，进而改善TFT器件的性能，该薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、半导体有源层、刻蚀阻挡层、源极和漏极，所述刻蚀阻挡层覆盖所述半导体有源层，且在所述刻蚀阻挡层上形成有第一过孔和第二过孔；薄膜晶体管的源极通过所述第一过孔和所述半导体有源层接触，薄膜晶体管的漏极通过所述第二过孔和所述半导体有源层接触。本发明实施例用于薄膜晶体管、阵列基板的制造，及利用上述薄膜晶体管、阵列基板的显示器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102651401A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201110460362.5 | 申请日期 | 2011.12.31 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 袁广才 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括栅极、栅绝缘层、半导体有源层、刻蚀阻挡层、源极和漏极，其特征在于，所述刻蚀阻挡层覆盖所述半导体有源层，且在所述刻蚀阻挡层上形成有第一过孔和第二过孔；所述薄膜晶体管的源极通过所述第一过孔和所述半导体有源层接触，所述薄膜晶体管的漏极通过所述第二过孔和所述半导体有源层接触。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||