发光二极管组件

摘要

本发明公开了一种发光二极管组件，其包含一基板以及复数个发光主波长波段介于440纳米至490纳米之间的半导体发光晶粒，该半导体发光晶粒设置在该基板上，同时半导体发光晶粒与基板电性连接。这些半导体发光晶粒中，最大与最小发光主波长间的波长差至少是10纳米，平均发光主波长介于450纳米至470纳米之间。通过上述配置，不仅可使本发明所述的发光二极管组件发光均匀化，更能够消化生产在线多余的库存半导体发光晶粒。

主权项

一种发光二极管组件，其特征在于，包含：一基板，以及复数个发光主波长介于440纳米至490纳米之间的半导体发光晶粒，这些半导体发光晶粒设置在该基板上，且与该基板电性连接，其中这些半导体发光晶粒的最大发光主波长与最小发光主波长间的波长差至少是10纳米。