发明名称 | 半导体发光元件及其制作方法 | ||
摘要 | 本发明有关一种半导体发光元件及其制作方法。半导体发光元件,包含基板、形成基板上的p型半导体层、形成p型半导体层上的发光层,及形成发光层上的n型半导体层,n型半导体层表面形成多数垂直基板方向且深度不小于0.2微米奈米柱体。藉加深奈米柱体深度可改变半导体发光元件发光场型,提升正向出光强度及发光效率。半导体发光元件制作方法包含:在第一基板上磊晶形成n型半导体层、发光层及p型半导体层;提供导电性基板,反转第一基板上磊晶结构层于导电基板上,使n型半导体层表面裸露;将多数球状颗粒散布n型半导体层表面做蚀刻遮罩;及以垂直导电基板方向蚀刻n型半导体层,形成多数深度不小于0.2微米奈米柱体。该制作方法可形成较大深度的奈米柱体,提高正向出光强度。 | ||
申请公布号 | CN101369618B | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
申请号 | CN200710142007.7 | 申请日期 | 2007.08.13 |
申请人 | 光宝科技股份有限公司;国立交通大学 | 发明人 | 邱清华;黄泓文;郭浩中;卢廷昌;王兴宗;赖志铭 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
主权项 | 一种半导体发光元件,其特征在于包含:一基板;一第一合金层,形成于该基板上;一第二合金层;及一磊晶结构层,包含一形成于该第二合金层上的p型半导体层、一形成于该p型半导体层上的发光层,及一形成于该发光层上的n型半导体层,该第一合金层和该第二合金层进行金属接合,以将该磊晶结构层设置于该基板上;在该n型半导体层的表面形成设有多数个垂直于该基板方向且深度不小于0.2微米及直径不大于0.8微米的奈米柱体,且该些奈米柱体由该n型半导体层所构成,而且该半导体发光元件还包含一形成于该n型半导体层上的封装保护层,该封装保护层具有可透光性,且折射系数介于空气与该n型半导体层之间。 | ||
地址 | 中国台湾台北市 |