半导体制造方法

摘要

本发明提供一种半导体制造方法，该方法包括在制造工艺中界定及/或修改栅极结构高度的步骤。上述栅极高度可在制造工艺中一个或以上的阶段，借由蚀刻包含于上述栅极结构中的多晶硅层的一部分而修改(例如降低)。本发明的方法包括于基板上形成一涂层，且该涂层覆盖上述栅极结构。上述涂层经回蚀而露出部分的上述栅极结构。上述栅极结构(例如多晶硅)经回蚀而降低该栅极结构的高度。本发明的制造方法可提供一较大的栅极蚀刻工艺容许度。此外，上述方法使栅极高度根据特定的装置目的而调整，允许在制造工艺中不同的阶段降低栅极高度。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：于一半导体基板上形成一栅极结构，其中上述栅极结构包括多晶硅；于上述基板及上述栅极结构上沉积一涂层；回蚀上述涂层，使部分的上述栅极结构露出；以及回蚀上述露出的栅极结构，使上述涂层的上表面低于上述栅极结构的上表面，其中回蚀上述露出的栅极结构包括蚀刻多晶硅。