放大元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种放大元件及其制造方法。为了进行ECM的阻抗变换及放大，使用放大集成电路元件或J-FET。放大集成电路元件可以根据电路常数来适当选择增益(Gain：增益)，通常与使用J-FET的情况相比具有增益高的优点，但也存在电路结构复杂且成本高的问题。另一方面，在仅使用J-FET时，存在输出不能充分放大、增益低的问题。本发明提供一种分立元件，该分立元件将J-FET和双极性晶体管集成在一个芯片上，J-FET的源极区域和双极性晶体管的基极区域连接，J-FET的漏极区域和双极性晶体管的集电极区域连接。由此，可以实现高输入阻抗且低输出阻抗的ECM用放大元件。

主权项

一种分立放大元件，与驻极体电容式话筒连接，该分立放大元件的特征在于，具有：n型半导体基板、接合型场效应晶体管及双极性晶体管，该n型半导体基板为高浓度且构成一个芯片，该接合型场效应晶体管构成为具有：层积于该半导体基板上的n型半导体层、设于所述n型半导体层表面的p型背栅扩散区域、设于该背栅扩散区域表面的p型背栅接触区域及n型沟道区域、设于该沟道区域的n型源极区域及漏极区域、设于所述沟道区域表面的p型顶栅区域，该双极性晶体管构成为将所述n型半导体基板及所述n型半导体层作为集电极区域，且具有：设于所述n型半导体层表面的p型基极区域、设于该基极区域表面的n型发射极区域，所述源极区域和所述基极区域通过第二配线层电连接，所述漏极区域和所述集电极区域通过第一配线层电连接。