发明名称 | 用于具有多部分自由层的磁性隧道结的调整固定层 | ||
摘要 | 提供了优化具有多部分自由层的磁性隧道结(MTJ)的触发窗口的装置和方法。根据本发明的一个方面,一种MTJ包括:自由层;固定层;以及形成在该自由层和该固定层之间的阻挡层。该自由层又包括多个自由磁性子层,而该固定层包括多个固定磁性子层。每个固定磁性子层对自由磁性子层施加磁场。为了优化该器件的触发窗口,每个固定磁性子层的尺寸选择为基本使得作用在每个自由磁性子层上的平均磁场相等。 | ||
申请公布号 | CN101548330B | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
申请号 | CN200680038631.6 | 申请日期 | 2006.05.04 |
申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 戴维·W·亚伯拉罕;丹尼尔·C·沃利奇 |
分类号 | G11C11/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
主权项 | 一种半导体器件,包括:自由层,该自由层包括多个自由磁性子层;固定层,该固定层包括多个固定磁性子层,每个固定磁性子层对于所述自由磁性子层施加磁场;以及阻挡层,形成在该自由层和该固定层之间;其中每个固定磁性子层的尺寸选择为使得施加在每个自由磁性子层上的平均磁场相等,其中该固定层包括第一固定磁性子层和第二固定磁性子层,该第一固定磁性子层与该阻挡层相邻,该第二固定磁性子层通过反铁磁性耦合层与该第一固定磁性子层隔开,并且其中该第一固定磁性子层和该第二固定磁性子层的磁矩矢量相对于彼此反平行,并且该自由层包括下部自由磁性子层、上部自由磁性子层、及间隔子层,并且其中该下部自由磁性子层和该上部自由磁性子层的磁矩矢量相对于彼此保持反平行。 | ||
地址 | 美国纽约 |