发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 一种可以减小半导体芯片的尺寸的半导体器件制造技术。首先,在绝缘膜上方形成焊盘和其他导线。在包括焊盘和导线的绝缘膜上方形成表面保护膜,并且在表面保护膜中制作开口。该开口位于焊盘上方并露出该焊盘的表面。在包括开口的表面保护层上方形成凸点电极。在此,焊盘小于凸点电极。因此,在与焊盘的同一层中的凸点电极的正下方布置导线。换句话说,在由于焊盘足够小而变得可用的空间中布置导线。
申请公布号 CN101593742B 申请公布日期 2012.08.29
申请号 CN200910159745.1 申请日期 2006.09.29
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 吉冈明彦;铃木进也
分类号 H01L23/522(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;G02F1/13(2006.01)I 主分类号 H01L23/522(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华
主权项 一种半导体器件,包括:(a)半导体衬底,其为拉长的矩形形状;(b)半导体元件,其形成在所述半导体衬底的主表面上方;(c)多层互连,其形成在所述半导体元件上方;(d)第一绝缘膜,其形成在所述半导体衬底的主表面上方,以覆盖所述半导体元件和所述多层互连;(e)多个焊盘,其形成在所述第一绝缘膜上方;(f)一个或多个布线层,其形成在所述第一绝缘膜上方,所述一个或多个布线层由与所述多个焊盘的导电层相同的导电层形成;(g)第二绝缘膜,其形成为覆盖所述多个焊盘和所述一个或多个布线层,所述第二绝缘膜在所述多个焊盘的上侧分别具有开口;以及(h)多个凸点电极,其为矩形形状并且形成在所述第二绝缘膜上方,所述多个凸点电极分别经由所述第二绝缘膜的开口电连接到所述多个焊盘;其中所述多个凸点电极和所述多个焊盘在第一方向和第二方向上以规则的间隔布置,所述第一方向是沿着所述半导体衬底的长边,而所述第二方向是沿着所述半导体衬底的短边,其中所述多个凸点电极中的每一个凸点电极布置为使得所述多个凸点电极中的每一个凸点电极的长边位于所述第二方向上,其中所述焊盘小于所述凸点电极,其中所述多个凸点电极中的每一个凸点电极在所述第一方向上的宽度小于所述多个焊盘中的每一个焊盘在所述第一方向上的宽度,其中所述多个焊盘中的每一个焊盘在所述第二方向上的宽度小于所述多个凸点电极中的每一个凸点电极在所述第二方向上的宽度,其中每个所述开口形成在所述多个凸点电极中的每一个凸点电极的仅一端的下方,以及其中所述一个或多个布线层布置为在平面图中与所述多个凸点电极重叠,并且延伸为与所述多个凸点电极中的每一个凸点电极的长边相交。
地址 日本神奈川县