半导体层的制造方法，光电转换装置的制造方法及半导体层形成用溶液

摘要

本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。

主权项

一种半导体层的制造方法，其特征在于，具备：准备包含第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I‑B族元素及第一III‑B族元素的第一化合物的工序；准备包含有机配体及第二III‑B族元素的第二化合物的工序；制作含有所述第一化合物、所述第二化合物及有机溶剂的半导体层形成用溶液的工序；采用所述半导体层形成用溶液制作含有I‑III‑VI族化合物的半导体层的工序。