发明名称 |
过孔的刻蚀方法、阵列基板、液晶面板及显示设备 |
摘要 |
本发明公开了一种过孔的刻蚀方法、阵列基板、液晶面板及显示设备,涉及液晶显示技术领域,解决了现有像素电极过孔的制造成本高,及过孔形貌不佳导致的薄膜晶体管液晶显示器良率降低等问题。本发明实施例将有机绝缘层的曝光、显影工艺与热磷酸的湿法刻蚀工艺结合起来,热磷酸的高温使得悬空的有机绝缘层软化,软化的有机绝缘层在重力的作用下覆盖在栅极绝缘层的过孔上,可实现像素电极过孔形貌的自动修补,相比于现有技术,无需增加后续的灰化扩孔工序,工艺简单,且湿法刻蚀设备简单、便宜,从而降低了像素电极过孔的制造成本,进而降低了薄膜晶体管液晶显示器的制造成本,并提高了薄膜晶体管液晶显示器的良率。 |
申请公布号 |
CN102651316A |
申请公布日期 |
2012.08.29 |
申请号 |
CN201110118337.9 |
申请日期 |
2011.05.09 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
周伟峰;薛建设 |
分类号 |
H01L21/311(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种过孔的刻蚀方法,其特征在于,包括:采用过孔掩膜对形成在栅极绝缘层上的有机绝缘层进行曝光、显影工艺,以在所述有机绝缘层中形成第一过孔,暴露出部分所述栅极绝缘层;所述栅极绝缘层覆盖在形成有栅电极的衬底上;用热磷酸对所述暴露出的栅极绝缘层进行湿法刻蚀,以在所述栅极绝缘层中形成第二过孔,并暴露出所述栅电极,所述热磷酸的温度为140℃~190℃;用温水清洗依次形成有所述栅电极、所述栅极绝缘层、所述有机绝缘层的衬底;剥离所述过孔掩膜。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |