发明名称 |
一种表面等离子体氢化硅薄膜太阳电池 |
摘要 |
本发明涉及氢化硅薄膜太阳电池开发技术领域,特指一种表面等离子体氢化硅薄膜太阳电池,其特征在于:在ITO透明电极和氢化硅薄膜之间设有周期为T的等离子体;等离子体由纳米氧化铝或纳米银薄膜和纳米金薄膜组成,等离子体对于入射光的反射率尽可能为零,等离子体和氢化硅薄膜中开有通孔。本发明利用表面等离子体材料增强硅薄膜电池对光的吸收量,制备一种由表面等离子体和硅薄膜完全匹配的单结、叠层氢化硅薄膜太阳电池体系。 |
申请公布号 |
CN102044575B |
申请公布日期 |
2012.08.29 |
申请号 |
CN201010569962.0 |
申请日期 |
2010.12.02 |
申请人 |
江苏大学 |
发明人 |
祝俊;郭立强;丁建宁;程广贵 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
楼高潮 |
主权项 |
1.一种表面等离子体氢化硅薄膜太阳电池,包括ITO透明电极、氢化硅薄膜和ZnO/Al背电极,其特征在于:在ITO透明电极和氢化硅薄膜之间设有周期为T的等离子体;等离子体由纳米氧化铝或纳米银薄膜和纳米金薄膜组成,等离子体对于入射光的反射率尽可能为零,等离子体和氢化硅薄膜中开有通孔;所述通孔的直径R小于入射光最小入射波长的十份之一,通孔间距L大于等于通孔的直径;所述的等离子体对于入射光的反射率尽可能为零指使纳米氧化铝或纳米银薄膜和纳米金薄膜满足完全匹配关系式<img file="174938DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="68" he="46" />,式中<img file="DEST_PATH_IMAGE004A.GIF" wi="14" he="12" />是金属的横向电导率,<img file="DEST_PATH_IMAGE006A.GIF" wi="21" he="12" />是金属的横向磁导率;<img file="DEST_PATH_IMAGE008A.GIF" wi="10" he="12" />和<img file="DEST_PATH_IMAGE010A.GIF" wi="13" he="12" />分别是真空的介电常数和磁导率。 |
地址 |
212013 江苏省镇江市京口区学府路301号 |