一种有机阻变存储器及制备方法

摘要

本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，其中，中间有机功能层为金属掺杂的钛氧酞菁膜。本发明在钛氧酞菁薄膜生长过程中，引入均匀的金属的掺杂来实现金属杂质与有机薄膜的氧化还原反应，进而实现阻变双稳态。同时，人为引入均匀的金属掺杂，实现了均匀的陷阱分布，从而有效减小了陷阱随机分布造成的单个器件特性的不稳定以及不同器件之间的阻变特性的不均一。本发明有机阻变材料具有较好的化学稳定性和温度稳定性，并且可在柔性衬底上实现，在低成本，高性能的有机存储器方面具有很高的应用价值。

主权项

一种有机阻变存储器，包括衬底，衬底上设有底电极、中间有机功能层和顶电极，其特征在于，所述顶电极和底电极均为W、Pt或Au，所述中间有机功能层为金属掺杂的钛氧酞菁膜，掺杂的金属为Al、Hf或Mg中的一种，掺杂的金属的质量百分比在0.1％到1％。